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唐叔贤院士:量化解释“电子衍射”开创纳米研究先河

   2022-01-10 中国粉体网10760
导读

专家简介唐叔贤,1942年出生于中国香港,世界著名的材料表面科学与技术专家,中国科学院院士,第三世界科学院院士,美国物理学会会士,现任香港中文大学(深圳)研究生院院长。唐叔贤院士2科研综述唐叔贤发展了固体中

专家简介


 


唐叔贤,1942年出生于中国香港,世界著名的材料表面科学与技术专家,中国科学院院士,第三世界科学院院士,美国物理学会会士,现任香港中文大学(深圳)研究生院院长。




 


唐叔贤院士


 


2科研综述


 


唐叔贤发展了固体中电子的多重散射理论体系,在低能电子衍射(LEED)、光电子衍射(PHD)、高分辨电子能量损失谱(HREELS),以及反射高能电子衍射(RHEED)等技术测量结果的定量分析上做出了创造性的系统贡献。此外,他在先进材料生长上开展了氮化镓在碳化硅衬底上的生长研究,并探讨了氮化镓的异质生长机制。


 


3功成名就斐誉海内外


 


29岁发表论文轰动欧美学术界


 


据唐叔贤教授透露,他在康奈尔大学从事博士后研究时的合作导师是雷斯特·革末教授。革末教授和戴维森教授一起,首次发现低能量电子在金属表面衍射现象,从而为物质波理论提供了重要证据,开创了现代量子力学的时代。唐叔贤说,当时革末教授已经证实了电子衍射与光衍射有很大区别,但需要创造一个可以解释电子衍射的理论。唐叔贤到了康奈尔大学后,革末教授就让他在这方面展开工作。


 


对唐叔贤来说,那是一段难忘的日子,一个初出茅庐的年轻研究员,被委以重任,尝试去解决著名教授仍未解决的问题。连他自己也没有想到,第二年的圣诞节前即1970年12月,研究只进行了15个月,唐叔贤就完成了解释电子衍射的研究工作,解释光会深入穿透物质,所以得到的是体内信息,而电子只穿透表面三到五层,所以获得的是表面信息,从而利用电子衍射可以准确获得物质表面结构的信息。这篇文章发表在1971年3月份的物理学国际顶尖刊物《物理评论快报》上,立即在物理学界引起了轰动的效应,不少机构邀请他到美国各地和欧洲多所大学作报告。


 


唐叔贤所完成的解释电子衍射的研究,可以量化材料的表面结构。当时尚无“纳米”的概念,学者们称之为“表面物理”,然而实际上,“表面物理”开创了纳米研究的先河,因为每个原子的直径大小约为0.3个纳米。在那之前,从事表面物理研究是个很小众的领域,材料表面结构得以量化后,关注的学者出现井喷的趋势,突然增加了许多人。


 


入选全球前2%顶尖科学家榜单


 


美国斯坦福大学通过对世界科学家和科学学科的标准化引文指标数据库的长期系统研究,并综合考量不同子研究领域的差异,衡量科研指标后,从850多万名科学家里,遴选出两个榜单,分别为“终身科学影响力排行榜”(career-longimpact)和“年度科学影响力排行榜”(single-yearimpact)榜单,唐叔贤教授名列其中。


 


4新科研成果


 


二维多孔金-磷网格结构


 


唐叔贤院士研究团队在CellPress出版社旗下的Matter期刊上发表了题为“Two-dimensional metal Phosphorus Network”的文章:利用分子束外延技术(MBE),以蓝磷烯分子为亚单元,通过金原子连接,在金衬底上得到一种二维多孔金-磷网格(AuPhoN)结构。




 


AuPhoN结构的原子模型


 


研究团队通过使用MBE技术,在金衬底上获得以蓝磷烯为亚单元,金原子为连接原子的金-磷二维网格结构(AuPhoN)。并使用扫描隧道显微镜(STM),低能电子衍射(LEED)以及密度泛函理论(DFT),对材料结构进行了表征和模拟。


 


双功能多相催化剂


 


唐叔贤院士和徐虎教授等人提出了一种新的用于水-气转换(WGS)反应(CO+H2O→CO2+H2)的双功能多相催化剂的策略。相关工作以《Avoiding Sabatier’sconflict in bifunctional heterogeneous catalysts for the WGS reaction》为题在《Chem》上发表论文。




 


双功能催化剂上的WGS反应示意图


 


在双组分催化剂(金属+羟基氧化物)上提出了一种新的水辅助途径(water-assisted pathway,WAP)反应机制,并在设计的Au/TiC(111)催化剂上观察到其对WGS反应表现出高的CO转化率及耐久性。由于催化剂的羟基氧化物载体与水发生轻微相互作用,从而避免了高活性底物的限制性解吸过程。*CO直接从H2O中获得OH形成*COOH,而羟基氧化物载体可引导*H在其表面迁移,使它们以H2形式解吸。


 


5获奖项目


 


唐叔贤院士课题组完成的“宽禁带半导体的生长与光学性质研究”科研成果荣获2019年教育部自然科学奖二等奖。宽带隙半导体具有可以在高温和高电压下服役的独特性能,该性能是基于硅工艺的电子设备不具备的。宽带隙半导体在发光的时候也不会产生大量热能,所以由这些材料生产的发光器件不仅非常节能而且环保。能够预见,宽带隙半导体材料具有广泛应用于照明领域的潜力。


 


6学术论著


 


截止到2017年8月,唐叔贤院士著书6本,在国际学术期刊发表文章270多篇,当中包括:2篇《Science》文章、2篇《PhysicsToday》文章、1篇《AdvancesinPhysics》文章、1篇《ProgressinSurfaceScience》文章、1篇《ProceedingsofNationalAcademyofSciences》文章、35篇《PhysicalReviewLetters》文章,被引用总次数超过10,000次,H因子是52。1971年,唐叔贤在国际一区刊物发表多篇文章,把SDavission在1927年做的电子散射实验成功地变成可应用于找表面结构的实用方法。


 
(文/小编)
 
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