中国粉体网讯 11月27日，以“创新为基，创芯为本”的2021基本创新日活动在深圳举行。深圳基本半导体有限公司在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，进一步完善第三代半导体产品布局。由深企发起的这场创新日活动吸引了汽车、工业、消费领域，以及第三代半导体产业生态圈的众多业内人士关注。
助推汽车产业破解“缺芯”难题
“缺芯”是困扰当前汽车产业发展的难题，而以碳化硅为代表的第三代半导体被视为支撑新能源汽车发展的关键技术之一，在电机控制器、车载充电器、DC/DC变换器等关键部件中发挥重要作用。
发布会上，基本半导体汽车级全碳化硅MOSFET功率模块家族成员首次正式整体亮相，包括半桥MOSFET模块Pcore2、三相全桥MOSFET模块Pcore6、塑封单面散热半桥MOSFET模块Pcell等。
基本半导体有限公司总经理和巍巍介绍，该系列产品采用银烧结技术，相较于传统硅基IGBT功率模块具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作结温、更低寄生电感、更低热阻等特性，综合性能达到国际先进水平，特别适合应用于新能源汽车。
其中，Pcore6系列模块是一款非常紧凑的功率模块，专为混合动力和电动汽车提升效率应用而设计，使用氮化硅AMB绝缘基板、用于直接流体的铜基PinFin基板、多信号监控的感应端子（焊接、压接兼容）设计，具有低损耗、高阻断电压、低导通电阻、高电流密度、高可靠性（高于AQG-324参考标准）等特点。
Pcell系列模块采用基本半导体设计的独有封装形式，采用银烧结和DTS技术，大大提升了模块的功率密度，让碳化硅材料特性得以充分发挥，使得产品具有高功率密度、低杂散电感(小于5μH)、高阻断电压、低导通电阻（小于2mΩ）、结温高达175℃等特点，非常适合于高效、高功率密度应用领域。
汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2系列模块具有低开关损耗、可高速开关、降低温度依赖性、高可靠性（高于AQG-324参考标准）等特点，结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上代替相同封装的IGBT模块，从而有效缩短产品开发周期，提高工作效率。
碳化硅肖特基二极管家族添新成员
追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代650V、1200V系列碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管家族中的新成员。
和巍巍介绍，相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在延用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更强的浪涌能力。
公开资料显示，当天亮相的最新款碳化硅肖特基二极管具备更高电流密度、更强浪涌能力、更低成本、更高产量等亮点表现。其中，第三代二极管具有更高电流密度、更低QC，使其在真实应用环境中开关损耗更低。通过工艺及设计迭代优化，第三代二极管实现了更高的浪涌能力。更高的电流密度带来更小的芯片面积，使得器件成本较前两代二极管进一步降低。而使用6英寸晶圆平台，单片晶圆产出提升至4英寸平台产出2倍以上。
推动尖端电力电子设备性能升级
现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有的硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。
当天上午，基本半导体还对外发布了最新研制的混合碳化硅分立器件。不同于全硅基IGBT+FRD，这款产品在以硅基IGBT作为核心开关器件的单管器件中，将器件中的续流二极管从硅基FRD换成了碳化硅肖特基二极管。
由于肖特基二极管没有双极型硅基高压FRD的反向恢复行为，Hybrid SiC Discrete Device的开关损耗获得了极大地降低。根据测试数据显示，这款混合碳化硅分立器件的开通损耗比硅基IGBT的开通损耗降低约32.9%，总开关损耗比硅基IGBT的开关损耗降低约22.4%。
和巍巍介绍，基本半导体Hybrid SiC Discrete Device可应用于对功率密度提升有需求，同时更强调性价比的电源应用领域，如车载电源、车载空调控制器以及其他高效电源等。
新品发布会后，基本半导体技术专家分别介绍了公司在碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块、碳化硅驱动以及功率半导体可靠性测试关键项目的领先技术和经验。
中欧第三代半导体产业高峰论坛聚焦创新合作
此外，为深化碳中和愿景下的中欧科研创新领域协同合作，推动我国第三代半导体产业深入发展，2021基本创新日活动还同期举办了“2021中欧第三代半导体高峰论坛”。
据了解，作为由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办的“2021中欧科技创新合作发展论坛”的专业论坛，中欧第三代半导体产业高峰论坛已连续五年举办。伴随第三代半导体由“导入期”向“成长期”快速成长，该论坛已发展成为联动中欧第三代半导体产学研深入交流的创新合作名片。
论坛上，深圳市科学技术协会党组成员孙楠，英国皇家工程院院士、剑桥大学葛翰·阿马拉通加（Gehan Amaratunga）教授，深圳大学微电子研究院院长、半导体制造研究院院长王序进院士出席论坛并致辞。
本次论坛共包括近十场主题技术演讲，来自剑桥大学、南京大学、天津工业大学、Yole Développement、比利时微电子研究中心、采埃孚、天科合达、汉磊科技、古瑞瓦特、基本半导体等中欧院校、科研机构以及知名企业的专家学者及技术大咖，围绕以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料、新技术、新设备、新应用等前沿技术、市场热点、产业化进程和未来趋势作了技术演讲，共同探讨中欧第三代半导体行业最新技术和发展前景。
近年来，深圳高度重视半导体产业的发展，推动成立了第三代半导体器件重点实验室、深圳清华大学研究院第三代半导体材料与器件研发中心、南方科技大学深港微电子学院等科研机构，聚集了基本半导体等一批第三代半导体领域的创新型企业。今年3月，科技部正式批复《支持广东省建设国家第三代半导体创新中心》，支持设置深圳平台，该中心聚焦第三代半导体关键核心技术的攻关和重大应用突破，统筹全国优势力量，为第三代半导体提供源头技术供给，推动我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。今年《深圳市政府工作报告》也明确指出，将加快国家第三代半导体技术创新中心等重大创新平台的建设。
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